DDR3服务器内存是一种高性能的内存类型,广泛应用于服务器、工作站和大型数据中心等场景,其全称为“第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器”,DDR3内存相比前代DDR2内存在运行性能和功耗方面都有显著提升。
1、更高的运行性能:DDR3内存提供了更高的数据传输速率和更低的延迟,使得数据处理速度更快。
2、更低的电压:DDR3内存的核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,从而降低了功耗和发热量。
3、逻辑Bank数量:DDR3内存起始的逻辑Bank数量为8个,并准备了未来扩展到16个逻辑Bank的设计,以应对更大容量的需求。
4、封装形式:DDR3采用了绿色封装,不含有害物质,且引脚数量增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装。
5、突发长度:DDR3的突发传输周期固定为8,同时增加了4-bit Burst Chop模式,提供更灵活的突发传输控制。
6、寻址时序:DDR3的CL周期范围为5至11,附加延迟(AL)有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2,还新增了写入延迟(CWD)参数。
规格 | DDR2 SDRAM | DDR3 SDRAM |
核心工作电压 | 1.8V | 1.5V |
逻辑Bank数量 | 4/8 | 8/16 |
封装形式 | 60/68/84球FBGA封装 | 78/96球FBGA封装 |
突发长度 | BL=4或8 | BL=8 |
CL周期 | 2至5 | 5至11 |
附加延迟(AL) | 0至4 | 0、CL-1、CL-2 |
参考电压 | VREFCA和VREFDQ | VREFCA和VREFDQ |
重置功能 | 无 | 有 |
ZQ校准 | 无 | 有 |
1、重置功能:DDR3新增了一个重置功能,通过一个专门设计的引脚使初始化处理更加简单,当重置命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,切换至最少量活动状态以节约电力。
2、ZQ校准:DDR3内存新增了ZQ校准功能,通过片上校准引擎自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
3、参考电压:DDR3系统将参考电压信号分为两个信号,一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,从而提高了系统数据总线的信噪等级。
4、根据温度自动自刷新(SRT):DDR3采用新型的自刷新设计,通过内置温度传感器来控制刷新频率,从而在保证数据不丢失的前提下最大限度地降低功耗。
5、局部自刷新(RASR):DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank,从而减少因自刷新产生的电力消耗。
6、点对点连接(P2P):DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
当前市场上,各大品牌如三星、金士顿、现代等均有多款DDR3服务器内存产品可供选择,以下是一些具体的产品推荐:
1、**三星(SAMSUNG)4G 2R*8 DDR3 1600 ECC服务器内存**:这款内存条适用于需要高性能和高稳定性的服务器环境,具有良好的兼容性和可靠性。
2、金士顿(Kingston)8G DDR3 1333 ECC服务器内存:该内存条支持错误校验,适用于需要高可靠性的企业级应用。
3、现代(HYUNDAI)海力士8G DDR3 1333 ECC服务器内存:这款内存条以其高性价比和良好的性能表现受到用户青睐。
1、什么是ECC内存?
ECC(Error-Correcting Code)内存是一种具备错误校正功能的内存,它可以检测并纠正常见的数据错误,提高系统的可靠性和稳定性,ECC内存通常用于服务器和工作站等需要高稳定性的设备中。
2、DDR3L和DDR3有什么区别?
DDR3L是DDR3内存的低电压版本,工作电压为1.35V或1.28V,相较于标准DDR3的1.5V电压,具有更低的功耗和发热量,这使得DDR3L特别适用于便携式设备和低功耗应用场景。
DDR3服务器内存凭借其卓越的性能和低功耗特性,成为高端电子设备的理想选择,无论是在服务器、工作站还是其他需要高性能计算的场景中,DDR3内存都能提供出色的表现,随着技术的不断进步,DDR3内存将继续发挥重要作用,推动数字世界的发展。