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SI7615cdn,探索其功能与应用领域的神秘面纱

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SI7615CDN-T1-GE3简介

SI7615cdn,探索其功能与应用领域的神秘面纱  第1张

SI7615CDN-T1-GE3是一款由Vishay公司生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有紧凑型DFN3X3-8L封装设计,旨在优化电路布局并增强散热性能,该器件具备20V的额定电压VDSS和高达48A的连续漏极电流ID,确保在大电流环境下的稳定运作,其导通电阻RD(on)低至7.5mΩ,有效降低传导损耗,提升整体工作效率,特别适用于电源转换、电池管理系统等对能效要求高的场景。

主要参数

参数 参数值
类型 P沟道
漏源电压 (Vdss) 20V
连续漏极电流 (Id) 48A
导通电阻 (RD(on)) 7.5mΩ @ 4.5V, 12A
耗散功率 (Pd) 33W
阈值电压 (Vgs(th)) 1V
栅极电荷量 (Qg) 63nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss @ Vds) 3.86nF @ 10V
工作温度 -55℃~+150℃ @ (Tj)

应用领域

由于其出色的电流承载能力和低阻特性,SI7615CDN-T1-GE3广泛应用于各种高效能电子设备中,包括但不限于以下领域:

电源转换:在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,SI7615CDN-T1-GE3可以提供高效的电能转换,减少能量损耗。

电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,该器件用于电池的充放电管理,确保电池的安全和高效运行。

电机驱动:在电机控制应用中,SI7615CDN-T1-GE3可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。

LED照明:在大功率LED驱动器中,该器件可以提供稳定的电流,确保LED灯的亮度和寿命。

表格对比

为了更好地了解SI7615CDN-T1-GE3的性能优势,我们可以将其与其他类似产品进行对比,以下是与另一款常见MOSFET的参数对比表:

参数 SI7615CDN-T1-GE3 类似产品A
漏源电压 (Vdss) 20V 25V
连续漏极电流 (Id) 48A 30A
导通电阻 (RD(on)) 7.5mΩ 10mΩ
耗散功率 (Pd) 33W 25W
阈值电压 (Vgs(th)) 1V 1.5V
栅极电荷量 (Qg) 63nC 50nC
工作温度范围 -55℃~+150℃ -40℃~+125℃

从表中可以看出,SI7615CDN-T1-GE3在导通电阻、连续漏极电流和耗散功率方面表现更为出色,适合高电流、高效率的应用需求。

常见问题解答(FAQs)

Q1: SI7615CDN-T1-GE3的工作温度范围是多少?

A1: SI7615CDN-T1-GE3的工作温度范围是-55℃到+150℃。

Q2: 如何购买SI7615CDN-T1-GE3?

A2: 您可以通过唯样商城等电子元器件分销商购买SI7615CDN-T1-GE3,这些平台通常会提供详细的产品信息、库存情况以及购买选项,还可以通过富昌电子等其他授权经销商购买。

小编有话说:在选择和使用MOSFET时,务必仔细核对产品型号和规格,确保其符合您的设计要求,建议在设计初期进行充分的测试和验证,以确保系统的可靠性和稳定性,希望以上信息对您有所帮助!

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