ROM(只读存储器)是一种非易失性存储器,数据写入后不可修改或只能通过特定方式改写,主要分为掩模ROM(出厂固化)、PROM(一次性编程)、EPROM(紫外线擦除)、EEPROM(电擦除)及闪存(Flash),其特点为断电数据不丢失,常用于存储固件、系统程序等无需频繁修改的信息,广泛应用于电子设备、嵌入式系统等领域。
存储器ROM分为哪些类型?
在现代电子设备中,只读存储器(ROM)是不可或缺的组成部分,它的核心特点是数据在断电后仍能长期保存,且通常用于存储固定程序或关键数据,根据技术原理和应用场景的不同,ROM主要分为以下五大类:
Mask ROM(掩膜ROM)
结构特点:
- 数据在芯片制造阶段通过“光刻掩膜”工艺写入,无法修改。
- 采用晶体管矩阵结构,通过物理熔断或连接定义“0”和“1”。
优势与局限:
- 高可靠性:数据永久固定,抗干扰能力强。
- 成本低:适合大批量生产(如消费电子产品)。
- 灵活性差:数据无法后期更改,设计需完全定型。
典型应用:
- 早期游戏卡带(如任天堂红白机)、固定功能的微控制器程序。
PROM(可编程只读存储器)
技术原理:
- 允许用户通过专用设备(编程器)一次性写入数据。
- 通过熔断内部熔丝或击穿PN结实现数据存储。
特点解析:

- 用户可编程:适合小批量定制需求。
- 不可擦写:一旦编程完成,数据永久固化。
常见场景:
EPROM(可擦除可编程只读存储器)
核心创新:
- 引入紫外线擦除技术,通过芯片窗口照射15-20分钟可重置数据。
- 采用浮栅晶体管结构,电荷 trapped 在绝缘层中实现存储。
优缺点对比:
- 可重复编程:支持多次擦写(约百次)。
- 操作繁琐:需专用设备擦除,时间成本高。
应用领域:
EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)
技术突破:

- 通过电压脉冲直接擦写数据,无需物理拆卸。
- 支持字节级操作,可精准修改单个存储单元。
性能表现:
- 灵活性强:支持在线编程(如I²C、SPI接口)。
- 寿命限制:擦写次数约10万次,低于Flash。
典型用例:
- 智能卡数据存储、汽车ECU参数配置、物联网设备标识码。
Flash ROM(闪存)
技术演进:
- 基于EEPROM架构优化,采用块擦除技术提升效率。
- 分NOR型(高速读取)和NAND型(高密度存储)两类。
市场地位:
- 高性价比:兼顾速度、容量与成本(如U盘、SSD)。
- 广泛应用:智能手机、相机、物联网终端的主流存储方案。
局限性:

选择ROM类型的考量因素
特性 |
Mask ROM |
PROM |
EPROM |
EEPROM |
Flash ROM |
可编程次数 |
0 |
1 |
~100 |
10⁵ |
10⁴-10⁵ |
擦写方式 |
不可 |
不可 |
紫外线 |
电信号 |
电信号 |
单位成本 |
极低 |
中 |
中高 |
高 |
低-中 |
适用场景 |
量产固化 |
定制化 |
固件 |
参数存储 |
通用存储 |
为什么ROM技术持续演进?
从Mask ROM到Flash ROM的发展,本质是平衡数据稳定性、灵活性与成本的过程。
- 工业自动化依赖EEPROM实时记录设备状态;
- 5G基站通过Flash ROM实现远程固件升级;
- 自动驾驶需要Mask ROM确保核心算法绝对可靠。
随着AIoT和边缘计算兴起,新型ROM技术(如ReRAM、MRAM)正在突破传统限制,未来可能进一步融合高速度、高耐久与非易失性。
引用说明
本文技术参数参考《计算机组成与设计:硬件/软件接口》(David A. Patterson, John L. Hennessy)及国际固态技术协会(JEDEC)公开标准,结合行业应用案例撰写。