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存储器2716使用方法

2716 EPROM存储器容量2KB,使用5V电源,需25V高压脉冲编程,通过地址线选择存储单元,数据线传输信息,控制CE(片选)和OE(输出使能)引脚实现读写,紫外线照射窗口擦除数据,注意避光保存以防误擦,编程前需完整擦除并校验空白状态。

存储器2716使用方法

存储器2716是一款经典的紫外线可擦除可编程只读存储器(EPROM),广泛应用于早期的嵌入式系统和电子设备中,以下是其详细使用方法,涵盖硬件连接、编程、擦除及注意事项,旨在帮助用户正确操作并延长芯片寿命。

存储器2716使用方法


2716基本特性

  • 容量:2K×8位(16Kbit),共2048个存储单元。
  • 封装:24引脚DIP(双列直插式封装)。
  • 供电电压:+5V(工作模式)和+12V(编程模式)。
  • 擦除方式:紫外线照射(波长2537Å,时长15-20分钟)。

引脚功能与连接

以下是2716引脚定义及典型连接方式:

引脚编号 名称 功能说明
1-10 A7-A0 地址总线(输入)
11 CE/OE 芯片使能/输出使能(低电平有效)
12 VPP 编程电压(+12V)
13 PG/VCC 编程脉冲输入/供电(+5V)
14-23 D7-D0 数据总线(双向)
24 GND 接地

典型电路连接要点

存储器2716使用方法

  1. 地址总线(A0-A10)连接至MCU或地址发生器。
  2. 数据总线(D0-D7)需通过上拉电阻(4.7kΩ)连接到+5V。
  3. CE/OE引脚
    • 读取模式:CE接低电平,OE由MCU控制。
    • 编程模式:CE接高电平,OE接编程脉冲信号。

操作模式详解

读取模式

  • 步骤
    1. VPP接+5V,VCC接+5V。
    2. CE引脚置低电平,OE引脚由MCU控制时序。
    3. 地址总线输入目标地址,数据总线输出存储内容。
  • 时序要求

    地址稳定至数据有效时间(tACC)最大450ns,需确保MCU时序匹配。

编程模式

  • 步骤
    1. VPP提升至+12V,VCC保持+5V。
    2. CE引脚置高电平,OE引脚输入50ms宽度的编程脉冲(通常由编程器生成)。
    3. 地址总线输入目标地址,数据总线输入待写入数据。
    4. 每个字节编程完成后,需等待约10ms再操作下一地址。
  • 验证:编程后需切回读取模式校验数据一致性。

擦除模式

  • 条件
    • 紫外线照射窗口需暴露在紫外线下(波长2537Å)。
    • 擦除时长:15-20分钟(距离光源2.5-5cm)。
  • 注意:擦除后所有存储单元恢复为全1(FFh)。

关键注意事项

  1. 静电防护:操作时佩戴防静电手环,避免直接触碰引脚。
  2. 电压安全:编程模式下VPP严禁超过+12.5V,否则可能损坏芯片。
  3. 窗口保护:编程后需用不透明标签覆盖擦除窗口,防止紫外线误擦除。
  4. 数据保存:环境温度≤70°C时,数据可保存10年以上。

常见问题解决

  • 编程失败
    • 检查VPP是否稳定在+12V,编程脉冲宽度是否达标。
    • 确认数据总线未被外部电路拉低。
  • 读取异常
    • 检查地址线连接是否松动,时序是否匹配。
    • 使用逻辑分析仪捕捉信号波形。

引用说明参考自Intel 2716数据手册(1980年版本)及行业标准EPROM操作规范,具体参数请以实际芯片手册为准。

(完)

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