内存tmrs_内存，我们如何优化和管理计算机的内存资源？

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【内存tmrs_内存】

内存TMRS是关于内存性能的四个重要参数，包括tCL、tRCD、tRP和tRAS，这些参数通常存储在内存条的SPD（Serial Presence Detect）中，用于描述内存条的性能，它们分别代表CAS延迟时间、RAS到CAS延迟、RAS预充电时间和Active到precharge延迟。

1、内存寻址：内存是根据行和列进行寻址的，当请求触发后，最初是tRAS，即Active to precharge Delay，预充电后，内存才真正开始初始化RAS（Row Address Strobe），一旦tRAS激活后，RAS开始进行需要数据的寻址。

2、内存时序：内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，一般数字“ABCD”分别对应的参数是“CLtRCDtRPtRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一。

1、读写操作：在完成tRCD后，内存才会接着发送列地址以及读写指令，进行读写操作，我们刚刚说了R（Row）AS代表了行地址信息，行地址代表了字线，字线连接着栅极，是内存Cell的大门或者开关，tRCD这个操作就可以理解为找门和开门的环节，然后才能对内存Cell进行读写操作。

2、预充电：在同一个Bank中，前一个行地址读写操作已经完成，准备对下一个行地址操作时，对下一个行地址进行的预充电。