corner wafer

Corner wafer在芯片制造中扮演着至关重要的角色，它涉及到多个方面的知识和技术细节，以下是对Corner wafer的详细解释：

1、定义：Corner wafer是指在芯片制造过程中，用于验证工艺偏差和确保芯片性能在不同工艺条件下都能满足要求的测试晶圆，由于芯片制造是一个复杂的物理过程，存在着工艺偏差（如掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等），这些偏差会导致不同批次、同一批次不同晶圆以及同一晶圆不同芯片之间的性能差异。

2、工艺角分类

TT（Typical Typical）：典型的N型和P型掺杂情况，代表标准的工艺条件。

FF（Fast Fast）：快速N型和快速P型掺杂，表示晶体管速度较快的情况。

SS（Slow Slow）：慢速N型和慢速P型掺杂，表示晶体管速度较慢的情况。

FS（Fast Slow）：快速N型和慢速P型掺杂，表示NMOS快而PMOS慢的情况。

SF（Slow Fast）：慢速N型和快速P型掺杂，表示NMOS慢而PMOS快的情况。

3、意义

验证设计余量：通过在不同工艺角下对电路进行仿真和测试，可以验证设计是否有足够的余量来应对工艺偏差，确保最终生产出的芯片良率高。

考察良率损失：Corner wafer的目的之一是考察良率是否有损失，如果超出corner约束性能范围内的芯片报废，可以及时发现并调整工艺窗口。

4、Corner Split Table策略

产品规格：对于产品来讲，一般corner做到spec上，正常情况下spec有6个sigma，如FF2（或2FF）表示往快的方向偏2个Sigma，SS3（或3SS）表示往慢的方向偏3个Sigma。

wafer分配：以55nm逻辑工艺工程片为例，拟定的corner split table可能包括两片pilot wafer（一片盲封，一片测CP）、两片hold在Contact（为后道改版预留工程wafer）、八片hold在Poly（等pilot的结果看是否需要调整器件速度，并验证corner）等。

5、确认结果

范围判断：大部分测试结果都应该落于四个corner决定的window范围内，如果出现大的偏差，那可能是工艺shift。

良率评估：如果各个corner的良率都没影响符合预期，那说明工艺窗口充分；如果有个别条件良率低，那就需要调整工艺窗口。

Corner wafer是芯片制造中不可或缺的一环，它通过对不同工艺角的测试和验证，确保了芯片的性能和良率。